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S-8261ABJMD-G3JT2x与S-8261DAA-M6T1U参数对比

作者:博友电子 发布时间:2021-03-08 11:17:21点击:
精工两型号参数列表

 
产品型号S-8261ABJMD-G3JT2x 产品型号S-8261DAA-M6T1U
过充电检测电压:4.28V±25mV 过充电检测电压:4.28V±25mV
过充电解除电压:4.08V±50mV 过充电解除电压:4.08V±50mV
过放电检测电压:3.0V±50mV 过放电检测电压:3.0V±50mV
过放电解除电压:3.0V±50mV 过放电解除电压:3.0V±50mV
过电流1检测电压:0.08V±15mV 过电流1检测电压:0.08V±15mV
过电流2检测电压:0.5V±100mV 过电流2检测电压:
充电过电流检测电压: 充电过电流检测电压:−0.10V±20mV
负载短路检测电压:1.2V±0.3V 负载短路检测电压:0.5V±0.1V
休眠功能:有 休眠功能:有
过充电检测延迟时间:0.96-1.4s 过充电检测延迟时间:1s
过放电检测延迟时间:115-173 ms 过放电检测延迟时间:128 ms
过电流1检测延迟时间:7.2-11ms 过电流检测延迟时间:8ms
过电流2检测延迟时间:1.8-2.7ms 过电流2检测延迟时间:
负载短路检测延迟时间:220-380Us 负载短路检测延迟时间:280Us
充电过电流检测延迟时间: 充电过电流检测延迟时间:8 ms
VM输入端子电压最大额定值:28V VM输入端子电压最大额定值:28V
向0V电池的充电功能:允许 向0V电池的充电功能:允许
VDD最大值:VDD+12V VDD最大值:VDD+6V


S-8261ABJMD-G3JT2x与S-8261DAA-M6T1U两型号不同之处


产品型号S-8261ABJMD-G3JT2x
过电流2检测电压[VIOV1]0.5V±100mV(多一组过流检测)
VDD最大值:12V(耐压不一样)
负载短路检测电压:1.2V±0.3V(负载短路电流不一样)


产品型号S-8261DAA-M6T1U
充电过电流检测电压:−0.10V±20mV(多充电过电流检测)
VDD最大值:6V
负载短路检测电压:0.5V±0.1V


产品选型方法
S-8261ABJMD-G3JT2x与S-8261DAA-M6T1U
根据产品应用为基础做选型
是否要充电过流功能来做选择
产品过流保护以MOS内阻做参考


总结

S-8261ABJMD-G3JT2x与S-8261DAA-M6T1U外观上可以做区分(上图为例)
 
高仿的8261-G3J同精工的8261-G3J只能从性能上做测试,外观上无法做区分
 
可以从充电过流测试出来两个型号来;S-8261DAA-M6T1U及德普微 DP8261- G3J;这两个型号是有充电过流,并且不一样。另外两上型是没有充电过流。
 
四个型号的电源耐压是一样,可以测试出来(但会烧坏芯片)
S-8261ABJMD-G3JT2x      ;电源电压 VDD+12V
S-8261DAA-M6T1U         ;电源电压 VDD+6V
德普微 DP8261- G3J      ;电源电压 VDD+5.5V
富满-G3JU               ;电源电压 VDD+8V
当蕊片输入电压高于电源电压 VDD的值时,会烧坏芯片